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IXTH 20N50D
IXTT 20N50D
20
Fig . 1. Ou tp u t C h ar acte r is tics
@ 25 o C
40
Fig . 2. Exte n d e d Ou tp u t C h ar acte r is tics
@ 25 o C
18
16
V GS = 5V
4V
3V
0V
35
30
V GS = 5V
4V
14
12
25
3V
10
2V
20
8
15
2V
6
1V
10
4
2
0V
5
1V
0V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
-1V
8
9
10
0
0
3
6
9
12 15 18
V D S - V olts
21
24
27
30
V D
S
- V olts
20
Fig. 3. Output Ch ar acte r is tics
@ 125 o C
2.8
Fig. 4. R DS(on ) Norm alize d to 0.5 I D25
Value vs . Junction Te m pe rature
18
16
V GS = 5V
4V
3V
2.6
2.4
2.2
I D = 10A
14
2
12
1.8
V GS = 5V
10
2V
1.6
8
6
4
2
0
1V
0V
-1V
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
V GS = 10V
0
2
4
6
8 10 12
V D S - V olts
14
16
18
20
-50
-25
0 25 50 75 100
T J - Degrees Centigrade
125
150
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to
Fig. 6. Drain Current vs. Case
3
2.8
2.6
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.5 I D25 Value vs. I D
V GS = 10V
T J = 125oC
V GS = 5V
T J = 25oC
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
Tem perature
0
5
10 15
I D - Amperes
20
25
30
-50
-25
0 25 50 75 100
T C - Degrees Centigrade
125
150
? 2006 IXYS All rights reserved
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IXTT24N50Q 功能描述:MOSFET 24 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTT24P20 功能描述:MOSFET 24 Amps 200V 11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTT26N50P 功能描述:MOSFET 26 Amps 500V 0.23 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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